[发明专利]硫属化物膜及其制造方法有效
| 申请号： | 200880109516.2 | 申请日： | 2008-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN101809775A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 菊地真;西冈浩;木村勋;神保武人;邹弘纲 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王琦;王珍仙 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的硫属化物膜，通过溅射在形成在基板上的绝缘层的接触孔内成膜，其中，在上述接触孔的至少底部形成底膜，在该底膜上且在上述接触孔内埋入由硫属化合物形成的结晶层。 | ||
| 搜索关键词： | 硫属化物膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硫属化物膜，通过溅射在形成在基板上的绝缘层的接触孔内成膜，其特征在于，在所述接触孔的至少底部形成底膜，在该底膜上且在所述接触孔内埋入由硫属化合物形成的结晶层。
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