[发明专利]发出辐射半导体构件、用于发出辐射半导体构件的容纳件以及用于制造发出辐射半导体构件的方法有效
| 申请号： | 200880109647.0 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101809774A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | J·索格;S·格鲁伯 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汤春龙;徐予红 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有发出辐射特性的、基于半导体的构件。其中设有具有第一表面(2)及第二表面(1)的玻璃衬底(1)，其中在第一表面(2)上容纳具有发出辐射特性的半导体元件(5)。本发明进一步涉及用于制造基于半导体的构件的方法，该方法具有以下步骤：提供玻璃衬底(1)，在玻璃衬底的第一表面(2)上施加半导体元件(5)。本发明还涉及用于基于半导体的构件的容纳件，其中设有两个电接触面(13)，该两个电接触面(1)可与基于半导体的构件的接触面(7)导电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发出 辐射 半导体 构件 用于 容纳 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有发出辐射特性的、基于半导体的构件，其特征在于，设有玻璃衬底(1)，所述玻璃衬底(1)具有第一表面(2)及第二表面(1)，其中在所述第一表面(2)上容纳具有发出辐射特性的半导体元件(5)。
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