[发明专利]大量制造薄膜电池的方法无效
| 申请号： | 200880110339.X | 申请日： | 2008-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101855770A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 郭秉圣;尼蒂·克里希纳;库尔特·艾森拜瑟;威廉·J·多克希尔;乔·康德雷莉亚 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司;摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01M10/00 | 分类号： | H01M10/00;B05C1/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在此提出的概念和方法是通过免除和/或减少传统物理(遮荫)掩蔽的使用而降低大量制造薄膜电池(TFB)的成本和复杂度。激光划线和其它物理无掩蔽图案化技术可满足一些或所有图案化需求。在一实施例中，制造薄膜电池的方法包含提供基板、沉积对应薄膜电池结构的多层于基板上，各层依沉积顺序包括阴极、电解质和阳极，其中至少一沉积层于沉积时未以物理掩蔽图案化、沉积保护涂层、以及刻划各层和保护涂层。另外，封装层可覆盖各层边缘。再者，各层可沉积在二基板上，再层压成薄膜电池。 | ||
| 搜索关键词： | 大量 制造 薄膜 电池 方法 | ||
【主权项】：
一种制造薄膜电池的方法，包括：提供一基板；在该基板上沉积对应于一薄膜电池结构的多个膜层，该些膜层依沉积顺序包括一阴极、一电解质和一阳极，其中该些沉积膜层中至少一层在沉积时未以一物理掩蔽图案化；沉积一保护涂层；以及利用一或多个无掩蔽物理图案化工艺来图案化该些膜层和该保护涂层。
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