[发明专利]制造疏水化多孔膜的方法无效
| 申请号： | 200880110373.7 | 申请日： | 2008-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101821838A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 邻真一;中山高博 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司;株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/312;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造疏水化多孔膜的方法，所述方法包括如下步骤：在衬底(1)上形成有机二氧化硅绝缘膜(2)；在将所述衬底(1)保持在硅烷化气体的露点以上但蒸发温度以下的温度下的同时，向布置了所述衬底(1)的装置中引入由硅烷化气体和惰性气体构成的混合气体(3)，所述衬底(1)具有有机二氧化硅绝缘膜(2)；停止向所述装置中引入所述混合气体(3)；以及对具有所述有机二氧化硅绝缘膜(2)的所述衬底(1)进行加热。所述方法能够获得疏水化的有机二氧化硅绝缘膜，所述有机二氧化硅绝缘膜(2)的表面和孔的表面被疏水化，从而抑制介电常数的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 疏水 多孔 方法 | ||
【主权项】：
一种制造疏水化多孔膜的方法，所述方法包括：在衬底上形成多孔膜；在所述衬底的温度下，向布置了所述衬底的装置中供应由硅烷化气体和惰性气体构成的气体混合物，所述衬底上形成有所述多孔膜，且所述温度在所述硅烷化气体的露点温度以上且在所述硅烷化气体的汽化温度以下；停止向所述装置中供应所述气体混合物；以及对上面形成有所述多孔膜的所述衬底进行加热。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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