[发明专利]多级单元NAND中的非相等阈值电压范围有效
| 申请号： | 200880111056.7 | 申请日： | 2008-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101821811A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 弗朗姬·鲁帕尔瓦尔;维沙尔·萨林;俊·S·辉 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 适于处理及产生表示两个或两个以上信息位的数据值的模拟数据信号的存储器装置相对于仅处理及产生指示个别位的二进制数据信号的装置促进数据传送速率的增加。所述存储器装置的编程包括编程到表示所要位模式的目标阈值电压范围。读取所述存储器装置包括产生指示目标存储器单元的阈值电压的模拟数据信号。由于编程干扰在较高阈值电压下较低，因此所述存储器单元的阈值电压范围针对包括较低阈值电压的范围具有较大范围大小且针对包括较高阈值电压的范围具有较小范围大小。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 单元 nand 中的 相等 阈值 电压 范围 | ||
【主权项】：
一种对多级单元存储器进行编程的方法，其包含：在每一单元内指派多个阈值电压范围，为所述存储器单元的每一级指派一范围；以及将所述多个阈值电压范围确定为不同的大小，每一阈值电压范围表示一数据位模式。
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