[发明专利]导电性纳米颗粒墨和糊状物及其应用无效

专利信息
申请号: 200880111122.0 申请日: 2008-10-08
公开(公告)号: CN101842447A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 杨至灏;许之咏;唐则祁 申请(专利权)人: 美商纳麦斯科技公司
主分类号: C09D11/00 分类号: C09D11/00;C09D17/00;C09D5/24;H01B1/16;H01B1/22;B22F9/24
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 吴小瑛;吕俊清
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及一种装置的制造方法,该装置包括位于基于硅的半导体材料上的墨或糊状物,其中该墨或糊状物包括无机导电性及添加性纳米颗粒的混合物,且其中该半导体材料是硅。一实例是银与钯纳米颗粒的混合物。
搜索关键词: 导电性 纳米 颗粒 糊状 及其 应用
【主权项】:
一种方法,其包括:(a)提供包括至少一纳米颗粒前体和至少一用于该纳米颗粒前体的第一溶剂的第一混合物,其中该纳米颗粒前体包括包含阳离子的盐,该阳离子包括金属阳离子;(b)提供包括至少一与该纳米颗粒前体反应的反应性部分和至少用于该反应性部分的第二溶剂的第二混合物,其中该第二溶剂在其与该第一溶剂混合时发生相分离;和(c)在表面稳定剂的存在下合并该第一混合物和第二混合物,其中在合并时,该第一混合物和第二混合物发生相分离,形成纳米颗粒;(d)将该纳米颗粒配制成墨或糊状物;(e)在硅基材上使用该墨或糊状物形成薄膜。
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