[发明专利]金属薄膜形成方法及导电性粒子无效
| 申请号： | 200880111331.5 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101842515A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 黑田英克 | 申请（专利权）人： | 宇部日东化成株式会社 |
| 主分类号： | C23C18/18 | 分类号： | C23C18/18;G02F1/1339 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 段迎春 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种金属薄膜形成方法，通过无电解镀，在粒径为0.5μm～100μm的非导电性粒子上形成金属薄膜。该无电解镀在对非导电性粒子进行附着金属核的预处理之后实施，并且在具有硫醇基的硅烷化合物的存在下，形成由银构成的金属薄膜。该导电性粒子通过在非导电性粒子的整个表面上形成的金属薄膜而被赋予导电性。非导电性粒子的粒径在0.5μm～100μm的范围内。另外，该金属薄膜由单层银构成。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 形成 方法 导电性 粒子 | ||
【主权项】：
一种金属薄膜形成方法，其是通过无电解镀在粒径为0.5μm～100μm的非导电性粒子上形成金属薄膜的金属薄膜形成方法，其特征在于，上述无电解镀在对上述非导电性粒子进行附着金属核的预处理之后实施，并且在具有硫醇基的硅烷化合物的存在下，形成由银构成的上述金属薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
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