[发明专利]形成气隙结构的方法和系统无效
| 申请号： | 200880112231.4 | 申请日： | 2008-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101828249A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 刘俊军;多雷尔·I·托玛 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 王安武;南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 描述了一种用于在衬底上形成气隙结构的方法和系统。该方法包括在衬底上形成牺牲层，其中该牺牲层包括在约350摄氏度以上的热分解温度下热分解的可分解材料。其后，在小于牺牲层的热分解温度的衬底温度下，在牺牲层上形成盖层。通过执行衬底的第一次紫外(UV)辐射曝光并且将衬底加热到小于牺牲层的热分解温度的第一温度，来使得牺牲层分解，并且经由盖层移除经分解的牺牲层。通过执行衬底的第二次UV辐射曝光并且将衬底加热到大于第一温度的第二温度，来将盖层硬化而使得盖层交联。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 结构 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种用于在衬底上形成气隙结构的方法，包括：在衬底上形成牺牲层，其中，所述牺牲层包括在约350摄氏度以上的热分解温度下热分解的可分解材料；在小于所述牺牲层的所述热分解温度的衬底温度下，在所述牺牲层上形成盖层；通过执行所述衬底的第一次紫外(UV)辐射曝光并且将所述衬底加热到小于所述牺牲层的所述热分解温度的第一温度，来使得所述牺牲层分解；经由所述盖层移除经分解的所述牺牲层；并且通过执行所述衬底的第二次UV辐射曝光并且将所述衬底加热到大于所述第一温度的第二温度，来将所述盖层硬化而使得所述盖层交联。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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