[发明专利]包含有多晶半导体层的半导体元件无效
| 申请号： | 200880112273.8 | 申请日： | 2008-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101939819A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 奥托·豪瑟;哈特穆特·弗雷 | 申请（专利权）人： | 第三专利投资有限两合公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/208;H01L21/36 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 德国肖恩*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体元件，包括基板以及在所述基板一个侧面上实现多晶的至少一个半导体层。所述多晶半导体层含有晶核。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 多晶 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种元件，具有基板(2)，所述基板包括表面(3，4)，和在所述表面(3，4)的至少一部分上具有的至少一个半导体材料的多晶层(6，12，13，15，16)，其中，所述多晶层(6，12，13，15，16)包含多个散布的晶核(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
