[发明专利]能形成致密硅质薄膜的含聚硅氮烷的组合物有效
| 申请号： | 200880112428.8 | 申请日： | 2008-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101835847A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 尾崎祐树 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料(日本)株式会社 |
| 主分类号： | C08L83/16 | 分类号： | C08L83/16;C08G77/62;C08K5/17;C09D7/12;C09D183/16;H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种含聚硅氮烷的组合物，与已知的含聚硅氮烷的组合物相比，其能更快速并在更低的温度下形成致密硅质薄膜。在形成硅质薄膜的过程中，将包含聚硅氮烷化合物、特定的胺化合物和溶剂的组合物涂覆于衬底上并转变为硅质物质。该特定的胺化合物优选包含以5个或更多个C-C键的间隔距离相互分开的2个胺基，并且该胺基优选具有烃取代基团。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 致密 薄膜 含聚硅氮烷 组合 | ||
【主权项】：
1.一种含聚硅氮烷的组合物，包含：聚硅氮烷化合物，下式(A)或下式(B)表示的胺化合物：![]()
(其中RA各自独立地表示氢或C1-C3烃基，并满足以下条件：连接到同一个氮原子上的两个RA不同时是氢，L1和L2各自独立地表示-CH2-、-NRA1-(其中RA1是氢或C1-C4烃基)或-O-，p1和p3各自独立地是0～4的整数，和p2是1～4的整数)![]()
(其中RB各自独立地表示氢或C1-C4烃基，和q1和q2各自独立地是1～4的整数)，以及能溶解所述聚硅氮烷化合物和所述胺化合物的溶剂。
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