[发明专利]用于薄膜太阳能应用的微晶硅沉积无效
申请号: | 200880112704.0 | 申请日: | 2008-10-22 |
公开(公告)号: | CN101836299A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 蔡容基;崔寿永;盛殊然 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;谢雪闽 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 如权利要求所述的本发明的实施例涉及一种薄膜多结太阳能电池以及用于形成该太阳能电池的方法与设备。在一个实施例中提供了一种在基板上方形成薄膜多结太阳能电池的方法。该方法包括:在反应区中放置基板;将混合气体提供至反应区,其中所述混合气体包括含硅化合物和氢气;以第一沉积速率在基板上形成本征型微晶硅层的第一区域;以高于第一沉积速率的第二沉积速率在基板上形成本征型微晶硅层的第二区域;以及以低于第二沉积速率的第三沉积速率在基板上形成本征型微晶硅层的第三区域。 | ||
搜索关键词: | 用于 薄膜 太阳能 应用 微晶硅 沉积 | ||
【主权项】:
一种在基板上方形成薄膜多结太阳能电池的方法,包括:在反应区中放置基板;将混合气体提供至反应区,其中所述混合气体包括含硅气体和氢气;以第一沉积速率在所述基板上形成本征型微晶硅层的第一区域;以高于所述第一沉积速率的第二沉积速率在所述基板上形成本征型微晶硅层的第二区域;以及以低于所述第二沉积速率的第三沉积速率在所述基板上形成本征型微晶硅层的第三区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的