[发明专利]高纯度镱、包含高纯度镱的溅射靶、含有高纯度镱的薄膜及高纯度镱的制造方法有效
| 申请号： | 200880113007.7 | 申请日： | 2008-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101835914A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 新藤裕一朗;八木和人 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C22B59/00 | 分类号： | C22B59/00;C22B5/04;C22B9/02;C22B9/16;C22C28/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种高纯度镱的制造方法，其特征在于，将粗氧化镱在真空中用包含蒸气压低的金属的还原性金属进行还原，并且选择性地将镱蒸馏，从而得到高纯度镱。本发明的目的在于提供能够有效且稳定地提供将蒸气压高、金属熔融状态下难以纯化的镱高纯度化的方法以及由该方法得到的高纯度镱以及包含高纯度材料镱的溅射靶以及含有高纯度材料镱的金属栅用薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 包含 溅射 含有 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯度镱，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上，并且碱金属和碱土金属的各元素分别为50重量ppm以下。
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