[发明专利]喷淋头、包括该喷淋头的基底制程装置以及使用该喷淋头的等离子体供应方法有效
| 申请号： | 200880113503.2 | 申请日： | 2008-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101849280A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 尹松根;宋炳奎;李在镐;金劲勳 | 申请（专利权）人： | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 郑建晖;杨勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种喷淋头，包括：一个第一环状件，其具有一个在其内形成的内部喷口；一个第二环状件，其被配置为围绕第一环状件，该第二环状件排布在第一环状件的外侧，使得第二环状件与第一环状件间隔开；以及一个连接构件，其用于将第一环状件和第二环状件互相连接。一个外部喷口在第一环状件和第二环状件之间形成。该喷淋头还包括：一个第三环状件，其排布于在第一环状件内形成的内部喷口中；以及一个第四环状件，其排布于在第一环状件和第二环状件之间形成的外部喷口中。该第三环状件具有一个在其内形成的最内部的喷口，且该第四环状件具有一个在其外侧形成的最外部的喷口。 | ||
| 搜索关键词： | 喷淋 包括 基底 装置 以及 使用 等离子体 供应 方法 | ||
【主权项】：
一种喷淋头，包括：一个第一环状件，其具有一个在其内形成的内部喷口；一个第二环状件，其被配置为围绕第一环状件，该第二环状件排布在第一环状件的外侧，使得第二环状件与第一环状件间隔开；以及一个连接构件，其用于将第一环状件和第二环状件互相连接，其中一个外部喷口在第一环状件和第二环状件之间形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
