[发明专利]功率放大器及控制功率放大器的方法有效
| 申请号： | 200880113793.0 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101842978A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 丸桥建一;田能村昌宏;岛胁秀德 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/24 | 分类号： | H03F3/24;H01L21/8234;H01L27/088;H03F3/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 赵伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一种功率放大器包括MOS晶体管(1)和输出匹配电路(5)，所述MOS晶体管(1)具有180nm或更小的栅极长度，所述输出匹配电路(5)与所述MOS晶体管(1)的漏极端子相连。此外，向所述MOS晶体管(1)施加利用DC状态中可允许的电压值归一化的电压Vd_n作为漏源电压，其中Vd_n在0.5-0.9的范围内。ZL(＝RL+j·XL)表示与利用MOS晶体管(1)的栅极宽度W(mm)归一化的、从漏极端子看输出匹配电路(5)时的负载阻抗相等的值，其中ZL的实部(RL)是RL＞0.64×Vd_n+0.19(Ω·mm)且RL＜0.64×Vd_n+1.73(Ω·mm)。 | ||
| 搜索关键词： | 功率放大器 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种功率放大器，包括MOS晶体管和输出匹配电路，所述MOS晶体管具有180nm或更小的栅极长度，所述输出匹配电路与所述MOS晶体管的漏极端子相连，所述功率放大器的特征在于：向所述MOS晶体管施加利用DC状态中可允许的电压值归一化的电压Vd_n作为漏源电压，其中Vd_n在0.5-0.9的范围内；ZL(＝RL+j·XL)表示与利用所述MOS晶体管的栅极宽度W(mm)归一化的、在从漏极端子看所述输出匹配电路时的负载阻抗相等的值；以及ZL的实部(RL)为RL＞0.64×Vd_n+0.19(Ω·mm)且RL＜0.64×Vd_n+1.73(Ω·mm)。
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