[发明专利]放射线检测装置的制造方法、放射线检测装置和放射线成像系统有效
| 申请号： | 200880114009.8 | 申请日： | 2008-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN101842901A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 石井孝昌;望月千织;渡边实 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是实现轻型的放射线检测装置，包括以下的步骤：制备矩阵阵列，所述矩阵阵列包含基板、布置于该基板上的绝缘层和布置于该绝缘层上的多个像素，其中，所述像素包含将入射的放射线转换成电信号的转换元件和布置于所述多个像素的外周的连接电极；将用于覆盖所述多个像素的柔性支撑部件固定到所述矩阵阵列的与基板相反的一侧；以及使所述基板从所述矩阵阵列脱离。 | ||
| 搜索关键词： | 放射线 检测 装置 制造 方法 成像 系统 | ||
【主权项】：
一种放射线检测装置的制造方法，包括以下的步骤：制备矩阵阵列，所述矩阵阵列包含基板、布置于该基板上的绝缘层和布置于该绝缘层上的多个像素，其中，所述像素包含将入射的放射线或光转换成电信号的转换元件；将用于覆盖所述多个像素的柔性支撑部件固定到所述矩阵阵列的与所述基板相反的一侧；以及使所述基板从所述矩阵阵列脱离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
