[发明专利]Ⅲ族氮化物电子器件及Ⅲ族氮化物半导体外延衬底

摘要

本发明的III族氮化物基异质结晶体管11a中，第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层1 5与第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a形成异质结21。第一电极17在第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a上形成肖特基结。第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a及第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层15设置于衬底23上。电极17a、18a、19a各自包含源极、栅极及漏极。第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a的碳浓度NC13小于1×1017cm-3。第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层15的位错密度D为1×108cm-2。通过异质结21，生成二维电子气层25。由此，提供低损耗的氮化镓基电子器件。

主权项

一种III族氮化物电子器件，其特征在于，包括：第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N(0＜X1＜1，0≤X2＜1，0＜X1+X2＜1)层；与所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层形成异质结的第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N(0≤Y1＜1，0≤Y2＜1，0≤Y1+Y2＜1)层；设置于所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层上的第一电极；及设置于所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层上的第二电极，所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层位于所述第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层上，所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层的带隙大于所述第二AIY1InY2Ga1-Y1-Y2N层的带隙，所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层的碳浓度小于1×1017cm-3，所述第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层的位错密度小于1×108cm-2，所述第一电极在所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层上形成肖特基结。