[发明专利]半色调掩模、半色调掩模坯料及制造半色调掩模的方法有效
| 申请号： | 200880114579.7 | 申请日： | 2008-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101842744A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 影山景弘;山田文彦 | 申请（专利权）人： | 爱发科成膜株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/08 | 分类号： | G03F1/08;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 段迎春 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种增加蚀刻停止层通用性的半色调掩模。所述半色调掩模(10)具有使用玻璃基板(S)的透光部分(TA)；包括形成在所述玻璃基板上的第一半透光层(11)的第一半透光部分(HA)；以及包括所述第一半透光层、叠加在所述第一半透光层上方的挡光层(13)和形成在所述第一半透光层与所述挡光层之间的蚀刻停止层(12)的挡光部分(PA)。所述第一半透光层和所述挡光层各自由铬或从由铬的氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、氧碳化物、碳氮化物及氧碳氮化物组成的组中选择的至少一种形成。所述蚀刻停止层包括从由铁(Fe)、镍(Ni)和钴(Co)组成的组中选择的至少一种的第一元素及从由铝(Al)、硅(Si)、钛(Ti)、铌(Nb)、钽(Ta)、铪(Hf)和锆(Zr)组成的组中选择的至少一种的第二元素。 | ||
| 搜索关键词： | 色调 坯料 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包括玻璃基板的半色调掩模，所述半色调掩模(10)包含：透光部分，其使用所述玻璃基板；第一半透光部分，其包括形成在所述玻璃基板上的第一半透光层；以及挡光部分，其包括所述第一半透光层、叠加在所述第一半透光层上方的挡光层和形成在所述第一半透光层与所述挡光层之间的蚀刻停止层；其中，所述第一半透光层和所述挡光层各自由铬或从由铬的氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、氧碳化物、碳氮化物及氧碳氮化物组成的组中选择的至少一种形成；所述蚀刻停止层包括从由铁(Fe)、镍(Ni)和钴(Co)组成的组中选择的至少一种的第一元素及从由铝(Al)、硅(Si)、钛(Ti)、铌(Nb)、钽(Ta)、铪(Hf)和锆(Zr)组成的组中选择的至少一种的第二元素。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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