[发明专利]间接辐射检测器无效

专利信息
申请号: 200880114694.4 申请日: 2008-10-29
公开(公告)号: CN101918860A 公开(公告)日: 2010-12-15
发明(设计)人: R·卡米;A·奥尔特曼 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G01T1/29 分类号: G01T1/29
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 谢建云;谭祐祥
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明涉及一种用于检测辐射(X),例如用于医学成像系统的间接辐射检测器。该检测器具有像素元件(P1-P6)阵列,每个像素元件(P)被至少细分为第一子像素元件(PE1)和第二子像素元件(PE2)。每个子像素元件具有平行于像素元件阵列的表平面(60)的截面面积(A1,A2)。第一子像素元件(PE1)的截面面积(A1)不同于,例如小于,第二子像素元件(PE2)的截面面积(A2),以提供可检测通量密度的动态范围。另外,第一子像素元件(PE1)具有设置在子像素元件侧面上的光敏装置(PS1),该侧面基本正交于像素元件阵列的所述表平面,以提供良好的光学耦合。该检测器能够以较简单的检测器设计实现高的光子通量计数。
搜索关键词: 间接 辐射 检测器
【主权项】:
一种检测辐射(X)的间接辐射检测器,该检测器包括:像素元件(P1 P6)阵列,每个像素元件(P)被至少细分为第一(PE1)子像素元件和第二(PE2)子像素元件,每个子像素元件具有平行于像素元件阵列的表平面(60)的截面面积(A1,A2),其中第一子像素元件(PE1)的截面面积(A1)不同于第二子像素元件(PE2)的截面面积(A2),并且其中第一子像素元件(PE1)包括设置在子像素元件侧面上的光敏装置(PS1),该侧面基本正交于所述像素元件阵列的所述表平面。
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