[发明专利]半导体装置

摘要

提供一种在不增大通态电阻的条件下将外围区高耐压化的半导体装置。绝缘栅双极性晶体管具有体区、保护环与集电层。体区被形成在活性区中漂移层的表层。保护环形成在外围区中漂移区的表层且包围体区。集电层形成在漂移层的背面一侧并形成为横跨活性区与外围区。保护环的背面与漂移层的背面间的距离F大于体区的背面与漂移层的背面间的距离。外围区中集电层的厚度H薄于活性区中集电层的厚度D。通过这种结构，与在活性区中相比，在外围区中向较厚的半导体层中被注入更少的载流子。因此，该绝缘栅双极性晶体管中，与在活性区中相比，能够使被注入外围区中的载流子的密度更低。即，该绝缘栅双极性晶体管能够在不增大活性区通态电阻的条件下提高外围区的耐压。

主权项

一种绝缘栅双极性晶体管，在俯视半导体基板时，其被划分为，形成有绝缘栅双极性晶体管元件的活性区以及包围活性区的外围区，其特征在于，具有：第一导电型的漂移层，其被形成为横跨活性区与外围区；第二导电型的体区，其被形成在活性区中的漂移层的表层上；第二导电型的外围耐压保证区，其被形成在外围区中的漂移层的表层上，且包围体区；第二导电型的集电层，其被形成在漂移层的背面一侧并横跨活性区与外围区，其中，外围区中的集电层的厚度薄于活性区中的集电层的厚度，外围耐压保证区的背面与漂移层的背面之间的距离大于体区的背面与漂移层的背面之间的距离。