[发明专利]单晶制造装置及制造方法有效
| 申请号： | 200880114957.1 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101849043A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 阿部孝夫 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郭晓东;马少东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶制造装置，至少具备腔室、腔室内的坩埚、配置在坩埚周围的加热器、拉起晶种的拉起机构、晶种和培育而成的单晶的导通路，并通过加热器来熔融已容置在坩埚内的多晶原料，且使晶种接触熔融状态的多晶而拉起，其特征在于，具备底部为曲面状的圆筒状石英管和圆顶状石英板；石英管配置成从腔室的上部通过导通路且其曲面状的底部面临坩埚上面，并且石英板配置成包围石英管，石英管是至少底部为反射热线的反射结构，而该石英板是朝向坩埚而反射热线的反射结构。由此，能够缩短多晶的熔融时间而缩短周期，能够提供一种单晶制造装置，可降低生产成本，同时能够降低电力成本。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶制造装置，至少具备腔室、该腔室内的坩埚、配置在该坩埚的周围的加热器、拉起晶种的拉起机构、上述晶种和培育后的单晶的导通路，并通过上述加热器熔融已容置在上述坩埚内的多晶原料，且使上述晶种接触该熔融状态的多晶而拉起，由此制造单晶，其特征在于，具备底部为曲面状的圆筒状石英管和圆顶状石英板；上述石英管配置成由上述腔室的上部通过上述导通路，且上述曲面状的底部面临上述坩埚上面，并且上述石英板配置成包围石英管，上述石英管的至少上述底部为反射热线的反射结构，而上述石英板是朝向上述坩埚而反射热线的反射结构。
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