[发明专利]切割/芯片接合薄膜有效
| 申请号： | 200880115089.9 | 申请日： | 2008-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101855710A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 神谷克彦;松村健;村田修平 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/02;C09J133/14;H01L21/52 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供即使在工件为薄型的情况下将工件切割时的保持力与将通过切割得到的芯片状工件和该芯片接合薄膜一体地剥离时的剥离性的平衡特性也优良的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有包含作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯含量在10～30摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体含量在70～90摩尔％范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物而构成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 薄膜 | ||
【主权项】：
一种切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有包含作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯含量在10～30摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体含量在70～90摩尔％范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物而构成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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