[发明专利]量子阱混合有效
| 申请号： | 200880115390.X | 申请日： | 2008-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101849277A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | Y·李;K·宋;C-E·扎 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01S5/34;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生;周承泽 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 量子阱混合(QWI)方法的实施方式，该方法包括：提供具有上外延层和下外延层(10、13)的晶片(1)，各外延层包括阻挡层，设置在上外延层和下外延层(10、13)之间的量子阱层(11)；在上外延层之上施加至少一个牺牲层(21)；通过在牺牲层的一部分之上施加QWI加强层(31)从而形成QWI加强区域和QWI抑制区域，其中，QWI加强层(31)之下的一部分是QWI加强区域，另一部分是QWI抑制区域。该方法进一步包括在QWI加强区域和QWI抑制区域之上施加QWI抑制层(41)的步骤，以及在足以使量子阱层(11)和上外延层与下外延层(10、13)的阻挡层之间的原子发生相互扩散的温度下进行退火的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 混合 | ||
【主权项】：
一种量子阱混合(QWI)方法，其包括：提供包括上空间层和下空间层，以及至少一个设置在上外延层和下外延层之间的量子阱层的晶片，其中上外延层和下外延层各自包括阻挡层；在上外延层之上施加至少一个牺牲层；通过在牺牲层的一部分上施加QWI加强层从而形成QWI加强区域和QWI抑制区域，其中QWI加强层之下的部分是QWI加强区域，另一部分是QWI抑制区域；在QWI加强区域和QWI抑制区域之上施加QWI抑制层；和在足以使原子在至少一个量子阱层和上外延层与下外延层的阻挡层之间发生相互扩散的温度下进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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