[发明专利]光电转换元件用电极基板、光电转换元件用电极基板的制造方法以及光电转换元件有效
| 申请号： | 200880116152.0 | 申请日： | 2008-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101861677A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 松井浩志;冈田显一 | 申请（专利权）人： | 株式会社藤仓 |
| 主分类号： | H01M14/00 | 分类号： | H01M14/00;H01L31/04;H01M2/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光电转换元件用电极基板的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在基板上形成透明导电膜和集电配线的工序，在所述透明导电膜上的与所述集电配线不同的部分上形成多孔氧化物半导体层的工序，将所述多孔氧化物半导体层进行煅烧的工序，所述煅烧后，以覆盖所述集电配线的方式形成由具有250℃以上的耐热性的绝缘性树脂构成的保护层的工序，和形成所述保护层之后，使色素吸附于所述多孔氧化物半导体层的工序；进而，在所述形成保护层的工序中或之后，在所述使色素吸附于多孔氧化物半导体层的工序之前，具有在250℃以上加热所述基板的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 用电 极基板 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种光电转换元件用电极基板的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在基板上形成透明导电膜和集电配线的工序，在所述透明导电膜上与所述集电配线不同的部分上形成多孔氧化物半导体层的工序，将所述多孔氧化物半导体层进行煅烧的工序，所述煅烧后，以覆盖所述集电配线的方式形成由具有250℃以上的耐热性的绝缘性树脂构成的保护层的工序，和形成所述保护层后，使色素吸附于所述多孔氧化物半导体层的工序；进而，在所述形成保护层的工序中或之后，在所述使色素吸附于多孔氧化物半导体层的工序之前，具有在250℃以上加热所述基板的工序。
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