[发明专利]性能提高的光学镀膜半导体器件及相关生产方法无效
申请号: | 200880116305.1 | 申请日: | 2008-12-11 |
公开(公告)号: | CN101861659A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 杰米·纳普 | 申请(专利权)人: | 新港有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张春媛;阎娬斌 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本申请公开了提高性能的光学镀膜半导体器件以及多种生产该器件方法的多个实施例。其包括在半导体器件表面上沉积低密度、低折射率材料的第一层,在半导体器件的镀膜表面沉积多层光学镀膜,其包括由低密度、低折射率材料和高密度、高折射率材料构成的交替层。可选择地,烧蚀交替多层光学镀膜的一部分,以露出低密度的第一层的至少一部分。同样,可选择地,烧蚀低密度材料的第一层的一部分,以露出半导体器件的至少一部分。 | ||
搜索关键词: | 性能 提高 光学 镀膜 半导体器件 相关 生产 方法 | ||
【主权项】:
一种生产光学镀膜半导体器件的方法,包括在半导体器件表面沉积第一层,第一层是低密度、低折射率材料;在半导体器件已镀膜表面上沉积多层光学镀膜,多层光学镀膜包括由低密度、低折射率的材料和高密度、高折射率的材料构成的交替层;选择性地烧蚀交替的多层光学镀膜的一部分,以露出低密度第一层的至少一部分;选择性地烧蚀低密度材料的第一层的一部分,以露出半导体器件的至少一部分。
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