[发明专利]氧化物半导体材料和其制造方法、电子装置和场效应晶体管无效
| 申请号： | 200880116357.9 | 申请日： | 2008-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101868857A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 长谷川彰;小广健司;福原升 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 熊玉兰;李炳爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供氧化物半导体材料和其制造方法、电子装置和场效应晶体管。氧化物半导体材料含有Zn、Sn和O，不含有In，且电子载流子浓度大于1×1015/cm3且小于1×1018/cm3。电子装置具有包含氧化物半导体材料的半导体层，和设置在上述半导体层上的电极。场效应晶体管具有包含氧化物半导体材料的半导体层、设置在上述半导体层中并相互隔开的源电极和漏电极、和门电极，所述门电极设置在可在位于上述源电极和上述漏电极之间的上述半导体层的区域施加偏置电位的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体材料 制造 方法 电子 装置 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
氧化物半导体材料，其含有Zn、Sn和O，不含有In，并且电子载流子浓度大于1×1015/cm3且小于1×1018/cm3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友化学株式会社，未经住友化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880116357.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：分集接收装置和分集接收方法
- 下一篇：半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
