[发明专利]场发射背光单元、其阴极结构及制造方法有效
| 申请号： | 200880116469.4 | 申请日： | 2008-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101868753A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 郑珍宇;宋润镐;金大俊 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | G02F1/13357 | 分类号： | G02F1/13357 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供场发射装置，并且更具体地提供使连接外部电极的互连简化且能够局部变暗的场发射背光单元。为此，场发射背光单元的阴极结构包括：多个数据电极，形成在阴极基板上且彼此隔开；绝缘层，形成在数据电极上，并且具有暴露预定的数据电极的暴露区域；阴极电极，形成在绝缘层上并且通过暴露区域与数据电极电连接；以及至少一个场发射器，形成在阴极电极上，其中基于彼此电隔离的阴极电极限定阴极块，并且每个阴极块的亮度能够根据通过数据电极提供的电流来控制。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 背光 单元 阴极 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场发射背光单元的阴极结构，包括：多个数据电极，形成在阴极基板上并且彼此隔开；绝缘层，形成在所述数据电极上并且具有暴露预定的数据电极的暴露区域；阴极电极，形成在所述绝缘层上并且通过所述暴露区域与所述数据电极电连接；以及至少一个场发射器，形成在所述阴极电极上，其中基于彼此电隔离的所述阴极电极限定阴极块，并且每个阴极块的亮度能够根据通过所述数据电极提供的电流来控制。
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