[发明专利]光致抗蚀剂组合物以及用多层光致抗蚀剂体系进行多重曝光的方法有效
| 申请号： | 200880116679.3 | 申请日： | 2008-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101861638A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 黄武松;陈光荣;P·R·瓦拉纳斯;李伟健 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林柏楠;李颖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种光致抗蚀剂组合物及在多重曝光/多层方法中使用所述光致抗蚀剂组合物的方法。所述光致抗蚀剂组合物包含：包含含有羟基结构部分的重复单元的聚合物，光酸产生剂；以及溶剂。当形成在衬底上时，所述聚合物在加热至约150℃或更高的温度后实质上不可溶于所述溶剂。一种方法包括在衬底上形成第一光致抗蚀剂层，在图案位置处曝光所述第一光致抗蚀剂层，在所述衬底以及图案化第一光致抗蚀剂层上形成第二非光致抗蚀剂层。另一种方法包括在衬底上形成第一光致抗蚀剂层，在图案位置处曝光所述第一光致抗蚀剂层，在所述衬底以及图案化第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层并且在图案位置处曝光所述第二光致抗蚀剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂 组合 以及 多层 体系 进行 多重 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种正型光致抗蚀剂组合物，其包含：包含含有羟基结构部分的重复单元的聚合物，光酸产生剂，以及溶剂，所述聚合物具有实质上可溶于所述溶剂，但在加热该聚合物至约150℃或更高的温度后变为实质上不可溶于所述溶剂的性质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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