[发明专利]用于功率器件的超结结构及制造方法有效
| 申请号： | 200880117046.4 | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101868856A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·A·叶季纳科;李在吉;张浩铁;尹钟晚;普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺;克里斯托夫·L·雷克塞尔;金昌郁;李宗宪;詹森·M·希格斯;德韦恩·S·赖希尔;乔尔勒·夏普;王琦;金龙燮;李廷吉;马克·L·赖尼希默;郑镇营 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张英 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 功率器件包括有源区域和包围有源区域的终端区域。第一和第二导电类型的多个导柱在有源区域和终端区域的每一个中交替布置。有源区域和终端区域中的第一导电类型的导柱具有基本上相同的宽度，而有源区域中的第二导电类型的导柱具有比终端区域中的第二导电类型的导柱更小的宽度，使得有源区域和终端区域的每一个中的电荷平衡状态导致终端区域中的击穿电压比有源区域中的击穿电压更高。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率 器件 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件，包括：有源区域和包围所述有源区域的终端区域；以及在所述有源区域和所述终端区域的每一个中交替布置的第一和第二导电类型的多个导柱，其中，所述有源区域和所述终端区域中的第一导电类型的所述导柱具有基本上相同的宽度，而所述有源区域中的第二导电类型的所述导柱具有比所述终端区域中的第二导电类型的所述导柱更小的宽度，使得所述有源区域和所述终端区域的每一个中的电荷平衡状态导致所述终端区域中的击穿电压比所述有源区域中的击穿电压更高。
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