[发明专利]III-Ⅴ纳米颗粒及其制造方法无效
申请号: | 200880117072.7 | 申请日: | 2008-09-19 |
公开(公告)号: | CN101932524A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | T·施特鲁佩特;H·韦勒;A·科尔诺斯奇 | 申请(专利权)人: | 应用纳米技术中枢(CAN)有限公司 |
主分类号: | C01B25/08 | 分类号: | C01B25/08;C30B29/40;C09K11/62 |
代理公司: | 北京市路盛律师事务所 11326 | 代理人: | 李宓 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明提供一种纳米颗粒形式的III-V化合物的制造方法,例如用于半导体的纳米颗粒。在大气压下的反应溶液中通过使III化合物源和V化合物源反应来进行反应。反应在高沸点溶剂中进行。溶剂含有稳定剂和碱。所制造的III-V化合物从反应溶液中析出、分离、提纯和分析。 | ||
搜索关键词: | iii 纳米 颗粒 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种在大气压下制造III V化合物的方法,包括:加热高沸点溶剂和稳定剂,在溶剂中添加III族化合物,在所得溶液中添加V族化合物,加热所得溶液,在加热的所得溶液中加入还原剂,其中,III V化合物从加热的所得溶液中析出,然后提纯。
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