[发明专利]控制对含钨层的蚀刻微负载的方法有效
| 申请号： | 200880117545.3 | 申请日： | 2008-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101952944A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 李源哲;符谦;刘身健;布赖恩·普 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人： | 樊英如 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种含钨层中蚀刻不同纵横比特征的方法。提供一种包含钨蚀刻成分和沉积成分的蚀刻气体。由所提供的蚀刻气体形成等离子。利用所提供的等离子蚀刻图案化有宽和窄特征的含钨层。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 含钨层 蚀刻 负载 方法 | ||
【主权项】：
一种通过具有宽特征和窄特征的掩模蚀刻含钨层的方法，包括(a)提供包括钨蚀刻成分和沉积成分的蚀刻气体混合物，其产生非共形沉积物；(b)由该蚀刻气体混合物形成等离子；以及(c)使用由该蚀刻气体混合物形成的等离子蚀刻该含钨层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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