[发明专利]光记录方法和光记录装置有效

专利信息
申请号: 200880117882.2 申请日: 2008-10-22
公开(公告)号: CN101874267A 公开(公告)日: 2010-10-27
发明(设计)人: 岸上智 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G11B7/0045 分类号: G11B7/0045;G11B7/125
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 黄纶伟;吕俊刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在按照写策略参数在光记录介质(500)中记录信息的记录方法中,在反复进行针对光盘(500)的规定量信息的记录(S23)、和中断记录而等待向缓存器(190)存储数据的待机状态(S22)的情况下,在记录中断的期间,再现之前刚刚记录的信息,测定该再现信号的质量(S25A),根据需要变更写策略(S25C),由此得到稳定的记录质量。将在一次的中断期间内进行的校正限定为一次。针对光盘上的记录位置的变化、记录条件的变化,能够得到稳定的记录质量。
搜索关键词: 记录 方法 装置
【主权项】:
一种光记录方法,该光记录方法按照由多个参数构成的与记录数据长度对应的写策略,在光记录介质上照射激光,由此在光记录介质中记录信息,其特征在于,通过交替重复进行信息记录的记录期间和中断记录的中断期间来记录信息,所述光记录方法具有:在所述中断期间中,再现在前一记录期间中记录的信息,根据再现信号的质量来校正写策略参数的写策略校正步骤;以及使用在所述写策略校正步骤中校正后的写策略参数来进行下一记录期间中的上述记录的步骤,所述写策略校正步骤包含:质量测定步骤,在该步骤中,测定之前刚刚记录的信号的质量;以及写策略变更步骤,在该步骤中,根据在所述质量测定步骤中测定的再现信号的质量来变更写策略,在一次的所述中断期间中,所述写策略校正步骤中的写策略变更仅进行一次。
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