[发明专利]硅太阳能电池及其制造方法

摘要

公开了硅太阳能电池和其制造方法。所述硅太阳能电池包括：掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；所述基板上的掺杂有第二导电杂质的发射极层，所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反；所述基板的整个表面上的防反射层；穿过所述防反射层并连接到所述发射极层的上电极；以及连接到所述基板的下部的下电极。所述发射极层包括重掺杂有所述第二导电杂质的第一发射极层、和轻掺杂有所述第二导电杂质的第二发射极层。所述第二发射极层的表面电阻在100Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。

主权项

一种利用丝网印刷方法来制造硅太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：制备掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；在所述硅半导体基板上形成掺杂有第二导电杂质的发射极层，所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反；在所述发射极层上的上电极连接到所述发射极层的位置处，利用丝网印刷方法来形成刻蚀掩模图案；利用所述刻蚀掩模图案作为掩模，在所述发射极层上进行回蚀处理；去除在进行了所述回蚀处理之后留下的所述刻蚀掩模图案；在所述硅半导体基板的整个表面上形成防反射层；使所述上电极穿过所述防反射层，并将所述上电极在上电极形成位置处连接到所述发射极层；以及将下电极连接到所述硅半导体基板的下部。