[发明专利]半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法无效
| 申请号： | 200880118212.2 | 申请日： | 2008-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101878541A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 渡边隆史 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件，其具有：层叠第1覆层、发光层和第2覆层而成的化合物半导体层；在第1覆层上形成的多个第1欧姆电极；在第2覆层上形成的多个第2欧姆电极；形成于化合物半导体层的第1覆层上并与第1欧姆电极导通的透明导电膜；在透明导电膜上形成的接合电极；和配置在化合物半导体层的第2覆层侧并与第2欧姆电极导通的支持板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其特征在于，具有：化合物半导体层，该化合物半导体层是至少层叠包含Ⅲ-V族化合物半导体的第1传导型的第1覆层、作为第1或与第1相反的传导型的第2传导型的包含Ⅲ-V族化合物半导体的发光层、和包含Ⅲ-V族化合物半导体的第2传导型的第2覆层而成的；在所述第1覆层上形成的多个第1欧姆电极；在所述第2覆层上形成的多个第2欧姆电极；形成于所述化合物半导体层的所述第1覆层上，并与所述第1欧姆电极导通的透明导电膜；在所述透明导电膜上形成的接合电极；和配置在所述化合物半导体层的所述第2覆层侧，并与所述第2欧姆电极导通的支持板，所述第1欧姆电极分散地配置在所述第1覆层的表面上，在所述第2覆层的所述支持板侧的接合面上设置有多个凹部，并且在所述凹部的底部配置有所述第2欧姆电极，在所述化合物半导体层上以被覆所述第2覆层的所述接合面和所述凹部内的所述第2欧姆电极的表面以及所述凹部的侧部的方式设置有电流扩散层，所述支持板与所述电流扩散层接合。
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