[发明专利]向半导体衬底的硅中蚀刻沟道的方法、在半导体衬底的硅中形成沟道隔离的方法及形成多个二极管的方法有效
| 申请号： | 200880118234.9 | 申请日： | 2008-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101878521A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 克鲁帕卡尔·M·苏布拉马尼安 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/76;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种向半导体衬底的硅中蚀刻沟道的方法，其包括在半导体衬底的硅上方形成掩模，其中所述掩模包含穿过所述掩模而形成的沟道。使用所述掩模进行等离子体蚀刻以向所述半导体衬底的所述硅中形成沟道。在一个实施例中，所述等离子体蚀刻包括使用包括SF6、含氧化合物及含氮化合物的前驱气体来形成蚀刻等离子体。在一个实施例中，所述等离子体蚀刻包括包含含硫组分、含氧组分及NFx的蚀刻等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 蚀刻 沟道 方法 形成 隔离 二极管 | ||
【主权项】：
一种向半导体衬底的硅中蚀刻沟道的方法，其包含：在半导体衬底的硅上方形成掩模，所述掩模包含穿过所述掩模而形成的沟道；及使用所述掩模来向所述半导体衬底的所述硅中等离子体蚀刻沟道，所述等离子体蚀刻包含使用包含SF6、含氧化合物及含氮化合物的前驱气体来形成蚀刻等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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