[发明专利]用于制造发射辐射的器件的方法以及发射辐射的器件有效
| 申请号： | 200880118278.1 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101878567B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | P·布里克;U·斯特劳斯 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/10;H01S5/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;李家麟 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造发射辐射的器件(1)的方法，其中在与该器件的主辐射轴垂直的方向上，预先规定近场的场变化曲线(101，201)。沿着该方向，根据所述近场的场变化曲线确定折射率分布图(111，211，511)。为该器件确定构造，使得该器件具有之前确定的折射率分布图。根据之前确定的构造来构造器件。此外还说明一种发射辐射的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 发射 辐射 器件 方法 以及 | ||
【主权项】：
用于制造发射辐射的器件(1)的方法，具有步骤：a)在与器件(1)的主辐射轴垂直的方向上，预先规定近场的场变化曲线(101，201)，其中所述近场具有强度变化曲线(300)，给所述强度变化曲线(300)分配有在所述强度变化曲线的曲线之下延伸的具有最大面积的矩形(301)，所述矩形填充所述近场的强度变化曲线的曲线下的总面积的至少50％；b)沿着该方向从预先规定的近场计算发射辐射的器件(1)的折射率分布图(111，211，511)；c)为器件(1)确定构造，使得器件(1)至少局部地具有之前确定的折射率分布图(111，211，511)；以及d)根据之前确定的构造来构造发射辐射的器件(1)。
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