[发明专利]形成硅太阳能电池的背面点接触结构的方法无效
| 申请号： | 200880118303.6 | 申请日： | 2008-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101878519A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 皮特·博登 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了处理例如硅太阳能电池的衬底的方法。在一实施例中，提供了用于形成到硅太阳能电池的背面的点接触的方法，该方法包括：用掩模层和激光吸收层涂覆该表面，将激光辐射射向该表面以在该表面中形成开口，随后通过这些开口施加掺杂物质以及施加接触。所述掺杂优选由等离子体浸没离子注入来进行。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 太阳能电池 背面 点接触 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种处理衬底的方法，包括：(a)在所述衬底的表面上提供钝化层；(b)在所述钝化层上提供吸收层；(c)将激光能量射向所述吸收层的选定区域，以在所述吸收层和钝化层中形成开口；(d)通过所述开口施加掺杂原子，以在硅衬底中提供掺杂区；以及(e)形成到所述掺杂区的电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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