[发明专利]涂布有偏氯乙烯系共聚物混合物的聚酰胺膜及其制造方法无效
| 申请号： | 200880118416.6 | 申请日： | 2008-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101878115A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 桑田秀树;大葛贵良 | 申请（专利权）人： | 尤尼吉可株式会社 |
| 主分类号： | B32B27/30 | 分类号： | B32B27/30;B32B27/34;C08J7/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;陈剑华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及涂布有偏氯乙烯系共聚物混合物的聚酰胺膜。在双轴拉伸聚酰胺膜的至少单面，不介由底漆层而涂布形成未共聚热交联剂的偏氯乙烯系共聚物混合物层。偏氯乙烯系共聚物混合物是2种以上的偏氯乙烯系共聚物的混合物。其中的1种偏氯乙烯系共聚物，其结晶熔点为170℃～210℃，并且相对于偏氯乙烯系共聚物混合物100质量份，含有25～45质量份。 | ||
| 搜索关键词： | 涂布有偏 氯乙烯 共聚物 混合物 聚酰胺 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种涂布有偏氯乙烯系共聚物混合物的聚酰胺膜，其特征在于，在双轴拉伸聚酰胺膜的至少单面，不介由底漆层而涂布形成未共聚热交联剂的偏氯乙烯系共聚物混合物层，所述偏氯乙烯系共聚物混合物是2种以上的偏氯乙烯系共聚物的混合物，其中的1种偏氯乙烯系共聚物，其结晶熔点为170℃～210℃，并且相对于偏氯乙烯系共聚物混合物100质量份，含有25～45质量份。
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