[发明专利]用于处理半导体加工部件的方法以及由此形成的部件有效
| 申请号： | 200880118721.5 | 申请日： | 2008-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101884099A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | Y·纳伦达;R·F·巴克利 | 申请（专利权）人： | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体加工部件具有包括碳化硅的一个外表面部分，该外表面部分具有一个表皮杂质水平以及一个本体杂质水平。该表皮杂质水平是进入外表面部分中的从0nm到100nm的深度的平均杂质水平，该本体杂质水平是进入外表面部分中至少3微米的深度上测量的，并且表皮杂质水平不大于本体杂质水平的80％。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 半导体 加工 部件 方法 以及 由此 形成 | ||
【主权项】：
一种半导体加工部件，该部件具有包括碳化硅的一个外表面部分，该外表面部分具有一个表皮杂质水平以及一个本体杂质水平，其中该表皮杂质水平是进入该外表面部分中的从0nm到100nm的深度的平均杂质水平，该本体杂质水平是在进入该外表面部分中至少3.0微米的深度上测量的，并且其中该表皮杂质水平不大于该本体杂质水平的80％，这些表皮杂质水平是基于Fe、Cr、和Ni中的一种的浓度的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
