[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200880118787.4 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101884110A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 岛田干夫 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种晶体管包含：基板上的栅电极、栅绝缘层、包含非晶氧化物的半导体层、源漏电极、以及保护层。所述半导体层包含与形成有所述源漏电极的区域相对应的第一区域和不与形成有所述源漏电极的区域相对应的第二区域。至少所述第一区域包含组分与第二区域中的非晶氧化物的组分不同的结晶成分。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包含：栅电极、栅绝缘层、包含非晶氧化物的半导体层、源漏电极、以及保护层，其中：所述半导体层包含与形成有所述源漏电极的区域相对应的第一区域，和不与形成有所述源漏电极的区域相对应的第二区域；以及至少所述第一区域包含组分与第二区域中的非晶氧化物的组分不同的结晶成分。
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