[发明专利]用于行进金属基底的等离子处理的方法和装置有效
| 申请号： | 200880118815.2 | 申请日： | 2008-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN101884086A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | P·范德布兰德 | 申请（专利权）人： | 工业等离子体服务与技术IPST有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘敏 |
| 地址： | 瑞士莱茵瀑*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于对金属基底或绝缘基底(3)进行等离子体处理的方法，所述基底基本连续地在具有处理区域(2)的真空室中行进，所述等离子体借助于连接至射频发生器的感应器(4)通过射频感应耦合而被保持在处理区域(2)中，其中通过法拉第屏(7)保护感应器(4)免于被所述基底(3)的表面所发射物质的污染，所述法拉第屏(7)位于所述等离子体和所述感应器(4)之间，并且，所述法拉第屏(7)相对于所述基底(3)或相对于存在于所述等离子体中的反电极被平均正电极化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 行进 金属 基底 等离子 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
用于金属基底或绝缘基底的等离子体处理的方法，其中至少一个基底基本连续地在具有处理区域(2)的真空室中行进，穿过该处理区域(2)，所述等离子体借助于连接至射频发生器的感应器(4)通过射频感应耦合而被保持在处理区域(2)中，其中通过法拉第屏(7)保护感应器(4)免于被所述基底(3)的表面所发射物质的污染，所述法拉第屏(7)位于所述等离子体和所述感应器(4)之间，其特征在于：所述法拉第屏(7)构成一导电电极；并且，所述法拉第屏(7)相对于所述基底(3)或相对于存在于所述等离子体中的反电极(23)被平均正电极化，因此将存在于所述等离子体中的离子朝着所述基底(3)或朝着所述反电极(23)加速，并且在形成所述法拉第屏(7)的电极处回收来自所述等离子体的电子。
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