[发明专利]薄膜晶体管的制造方法和显示器件的制造方法有效
| 申请号： | 200880118999.2 | 申请日： | 2008-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101884112A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 宫入秀和;小森茂树;伊佐敏行;小松立 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G09F9/30;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种使用少数量掩模的薄膜晶体管和显示器件的制造方法。将第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、和第二导电膜堆叠。然后，使用多色调掩模在其上面形成具有凹陷部分的抗蚀剂掩模。执行第一蚀刻以形成薄膜堆叠体，并执行其中对薄膜堆叠体进行侧蚀刻的第二蚀刻以形成栅极电极层。使抗蚀剂凹入，然后形成源极电极、漏极电极等；由此，制造薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 显示 器件 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：形成第一导电膜；在第一导电膜之上形成绝缘膜；在绝缘膜之上形成半导体膜；在绝缘膜之上形成杂质半导体膜；在杂质半导体膜之上形成第二导电膜；在第二导电膜之上形成第一抗蚀剂掩模；使用第一抗蚀剂掩模对绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、和第二导电膜进行第一蚀刻以至少使第一导电膜的表面暴露；对第一导电膜的一部分进行第二蚀刻以便以栅极电极的宽度比绝缘膜的宽度窄的方式形成栅极电极层；在第二导电膜之上形成第二抗蚀剂掩模；以及使用第二抗蚀剂掩模对第二导电膜、杂质半导体膜、和半导体膜的一部分进行第三蚀刻以形成源极和漏极电极层、源极和漏极区层、和半导体层。
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