[发明专利]PVD真空镀层设备无效
| 申请号： | 200880119186.5 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101889102A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | J·拉姆;C·沃尔拉布 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫) |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李永波;梁冰 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 一种真空镀层设备，具有：反应气体入口(12)；至少一个具有平面的阴极(11)的PVD镀层源(8、21)；带有多个基材(7)的基材载体(6)，其中基材载体(6)二维地水平延展，该基材载体位于至少两个PVD镀层源之间，多个基材(7)是切削刀具，且在平面的基材(7)的周围的边缘区域中具有至少一个切削边(E)，这些基材分布在二维延展的基材载体(6)的平面上，其中基材载体(6)在水平面(3)上在真空过程腔室(1)中间隔地设置在至少两个PVD镀层源(8、21)的平面的阴极(11)之间，使得每个至少一个切削边(E)的至少一部分含有有效的切削边(E′)，且该有效的切削边在可见方向上在任何时候都暴露在PVD镀层源(8、21)的至少一个阴极(11)的对面。 | ||
| 搜索关键词： | pvd 真空 镀层 设备 | ||
【主权项】：
一种真空镀层设备，包括：-与泵系统(2)连接的真空过程腔室(1)；-至少一个反应气体入口(12)，其与至少一个反应气体容器(13)连通；-至少一个具有阳极(10)和平面的阴极(11)的PVD镀层源(8、21)；-带有多个基材(7)的基材载体(6)；-门机(4)，其设置在真空过程腔室(1)上，用于给腔室装载衬底载体(6)；-输送装置(5)，用于输送基材载体(6)经过门机(4)，并间隔于平面的阴极(11)的区域一定距离地定位在真空过程腔室(1)中；-电源(16、18)，其与PVD镀层源(8、16)连接，其特征在于：基材载体(6)二维地水平延展，该基材载体位于至少两个PVD镀层源之间；多个基材(7)是切削刀具，且在平面的基材(7)的周围的边缘区域中具有至少一个切削边(E)，这些基材分布在二维延展的基材载体(6)的平面上，其中基材载体(6)在水平面(3)上在真空过程腔室(1)中间隔地设置在至少两个PVD镀层源(8、21)的平面的阴极(11)之间，使得每个至少一个切削边(E)的至少一部分含有有效的切削边(E′)，且该有效的切削边在可见方向上在任何时候都暴露在PVD镀层源(8、21)的至少一个阴极(11)的对面。
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