[发明专利]信息记录介质及其制造法和记录再生装置有效
申请号: | 200880119382.2 | 申请日: | 2008-12-04 |
公开(公告)号: | CN101888933A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 土生田晴比古;山田升;古宫成 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | B41M5/26 | 分类号: | B41M5/26;G11B7/24;G11B7/243;G11B7/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种信息记录介质及其制造法和记录再生装置。在具备基板和具有记录层的信息层、并通过激光照射进行信息记录以及再生的信息记录介质中,利用Te-O-MA-MB材料来构成记录层,该Te-O-MA-MB材料由Te、O、MA(MA是从Au以及Pd中选出的至少1种元素)、以及MB(MB是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素)构成,并且Te原子的含有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下,O原子的含有比例是40原子百分比以上、70原子百分比以下,MA原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下,MB原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下。通过此结构,可进行高密度记录,从而可以提供能够长期稳定再生记录数据的低成本的信息记录介质。 | ||
搜索关键词: | 信息 记录 介质 及其 制造 再生 装置 | ||
【主权项】:
一种信息记录介质,具备基板和具有记录层的信息层,并通过激光的照射来进行信息的记录以及再生,上述记录层包含由Te、O、MA、以及MB构成的Te-O-MA-MB材料,其中,MA是从Au以及Pd中选出的至少1种元素,MB是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素,在上述Te-O-MA-MB材料中,Te原子的含有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下,O原子的含有比例是40原子百分比以上、70原子百分比以下,MA原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下,MB原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下。
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