[发明专利]用于衬底的两侧溅射蚀刻的系统和方法无效
| 申请号： | 200880119457.7 | 申请日： | 2008-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101889325A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | M·S.·巴尔内斯;T·布卢克 | 申请（专利权）人： | 因特瓦克公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于蚀刻构图介质磁盘的系统。利用可移动电极执行溅射蚀刻。将电极移动到靠近衬底或者稍微接触衬底以将RF能量耦合到所述磁盘。将被蚀刻的材料可以是例如Co/Pt/Cr的金属或者类似金属。将衬底垂直保持在载体中并且按顺序蚀刻衬底的两侧。即，在一个腔中蚀刻一侧然后在下一个腔中蚀刻第二侧。在两个腔之间设置隔离阀并且磁盘载体在腔之间移动所述磁盘。所述载体可以是使用例如磁化轮和线性电机的线性驱动载体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 两侧 溅射 蚀刻 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于蚀刻衬底的蚀刻腔，包括：主腔体；耦合到所述腔体的工艺气体输送组件；支撑衬底的衬底定位机构；等离子体功率施加器；耦合在所述腔体一侧的可移动电极组件，所述可移动电极组件可用于在所述衬底的传送期间位于远端位置并且在蚀刻处理期间位于近端位置。
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