[发明专利]使用图案化蚀刻剂物质以形成太阳能电池接点的工艺无效
申请号: | 200880119586.6 | 申请日: | 2008-11-19 |
公开(公告)号: | CN101889348A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 蒂莫西·W·韦德曼;罗海特·米什拉 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施方式预期了使用新颖方法以形成高效率太阳能电池,而该方法是形成太阳能电池元件的主动区及金属接点结构。在一实施方式中,该方法包括使用多种蚀刻及图案化工艺,这些工艺是用以界定穿过覆盖太阳能电池基板的表面的毯覆介电层的点触。该方法一般包括沉积一蚀刻剂物质,而该物质是使得在介电层中形成所需图案,且通过该图案可形成至太阳能电池元件的电性接点。 | ||
搜索关键词: | 使用 图案 蚀刻 物质 形成 太阳能电池 接点 工艺 | ||
【主权项】:
一种形成太阳能电池元件的方法,包括:在一基板的表面上形成一介电层;将一蚀刻剂物质设置在该介电层的多个区域上;加热该基板至一所需温度,以使得该蚀刻剂物质将这些区域中的至少一部分的介电层移除,以暴露该基板表面的多个区域;以及在该表面的这些暴露的区域上沉积一导电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司,未经应用材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880119586.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:骨架型药用贴剂生产线
- 下一篇:一种合成康布他汀的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的