[发明专利]ZnO系半导体元件

摘要

本发明提供一种ZnO系半导体元件，能够在层叠侧主面具有C面的MgZnO基板上生长平坦的ZnO系半导体层。该ZnO系半导体元件采用主面具有C面的MgxZn1-xO(0≤x＜1)基板，并在以使所述主面的法线向基板晶轴的m轴c轴平面投影的投影轴与c轴所形成的Φm角满足0＜Φm≤3的方式形成的主面上，使ZnO系半导体层(2～5)外延生长。然后，在ZnO系半导体层(5)上形成p电极(8)，在MgxZn1-xO基板(1)的下侧形成n电极(9)。这样，通过在MgxZn1-xO基板(1)的表面形成沿m轴方向规则地排列的台阶，能够防止台阶积累现象，并且提高层叠在基板(1)上的半导体层的膜的平坦性。

主权项

一种ZnO系半导体元件，其特征在于，在主面具有C面的MgxZn1-xO、0≤x＜1的基板上，将所述主面的法线向基板晶轴的m轴c轴平面投影的投影轴与c轴形成Φm度的角度，所述Φm满足0＜Φm≤3的条件；在所述主面形成有ZnO系半导体层。