[发明专利]电子材料用清洗剂和清洗方法有效
| 申请号： | 200880119796.5 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101888906A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 胜川吉隆;铃木一充;佐藤祥平 | 申请（专利权）人： | 三洋化成工业株式会社 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;C11D3/30;C11D3/43;H01L21/304;B08B3/10;B08B3/12;C11D1/02;C11D3/04 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 张淑珍;王维玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电子材料用清洗剂，其中，所述清洗剂含有阴离子成分由通式(1)表示的阴离子型表面活性剂(A)、碳原子数6～18的链烯、以及选自于由通式(2)表示的有机溶剂构成的组中的1种以上的有机溶剂(B)，上述(B)的SP值为6～13。R1[-(OA1)a-Q-]b (1)，式(1)中，R1为碳原子数1～10的烃基，A1为碳原子数2～4的亚烷基，Q-为-COO-、-OCH2COO-、-SO3-、-OSO3-或-OPO2(OR2)-，R2为氢或碳原子数1～10的烃基，a为平均值0～20，b为1～6的整数，Q-为-COO-或-SO3-时a为0。R3[-(OA2)c-OH]d (2)，式(2)中，R3为碳原子数1～12的烃基，A2为碳原子数2～4的亚烷基，c为平均值0～20，d为1～6的整数。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 材料 洗剂 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种电子材料用清洗剂，其中，所述清洗剂含有阴离子成分由通式(1)表示的阴离子型表面活性剂(A)、碳原子数6～18的链烯、以及选自于由通式(2)表示的有机溶剂构成的组中的1种以上的有机溶剂(B)，上述(B)的SP值为6～13；R1[-(OA1)a-Q-]b (1)式(1)中，R1为碳原子数1～10的烃基，A1为碳原子数2～4的亚烷基，Q-为-COO-、-OCH2COO-、-SO3-、-OSO3-或-OPO2(OR2)-，R2为氢或碳原子数1～10的烃基，a为平均值0～20，b为1～6的整数，Q-为-COO-或-SO3-时a为0；R3[-(OA2)c-OH]d (2)式(2)中，R3为碳原子数1～12的烃基，A2为碳原子数2～4的亚烷基，c为平均值0～20，d为1～6的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋化成工业株式会社，未经三洋化成工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880119796.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：外设设备软件升级的方法、计算机及系统
- 下一篇：氧化物半导体薄膜晶体管
