[发明专利]用于超高场MRI的发射/接收线圈有效
| 申请号： | 200880120250.1 | 申请日： | 2008-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101896831A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | Z·翟;R·C·高斯;E·Y·P·王;M·莫里希;K·M·尼曼;G·德梅斯泰 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/3415 | 分类号： | G01R33/3415 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;刘炳胜 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种磁共振线圈包括：第一组线圈元件(54，56，80)，其可操作性地与发射通道(66，74)连接，以与大于3特斯拉的磁场强度下用于选定负载的发射敏感区域耦合；以及第二组线圈元件(52，54，82)，其可操作性地与接收通道(66，74)连接，以与大于3特斯拉的磁场强度下用于所述选定负载的接收敏感区域耦合。第一组线圈元件靠近发射敏感区域布置但不包围发射敏感区域，第二组线圈元件靠近接收敏感区域布置但不包围接收敏感区域。所述第一组线圈元件和所述第二组线圈元件有至少一个线圈元件(52，56)不是公共的。所述第一和第二组线圈元件在所述大于3特斯拉的磁场强度下为所述选定负载限定基本类似的发射和接收敏感区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 超高 mri 发射 接收 线圈 | ||
【主权项】：
一种磁共振线圈，包括：第一组线圈元件(54，56，80)，其可操作性地与发射通道(66，74)连接，以与一磁场强度下用于选定负载的发射敏感区域耦合，所述第一组线圈元件靠近所述发射敏感区域布置但不包围所述发射敏感区域；第二组线圈元件(52，54，82)，其可操作性地与接收通道(66，74)连接，以与所述磁场强度下用于所述选定负载的接收敏感区域耦合，所述第二组线圈元件靠近所述接收敏感区域布置但不包围所述接收敏感区域；所述第一组线圈元件和所述第二组线圈元件有至少一个线圈元件(52，56)不是公共的；并且所述第一和第二组线圈元件在所述磁场强度下为所述选定负载限定基本类似的发射和接收敏感区域。
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