[发明专利]用于背面接触太阳能电池的具有高吸光层的防反射涂层有效
| 申请号： | 200880120502.0 | 申请日： | 2008-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101897032A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 阮信晓;丹尼斯·德塞斯特 | 申请（专利权）人： | 太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于背面接触太阳能电池(300)的多层防反射结构(310)。在背面接触太阳能电池(300)的正面上可以形成防反射结构(310)。防反射结构(310)可以包括钝化层(312)、在钝化层上的高吸光层(313)、在高吸光层(313)上的低吸光层(314)。钝化层(312)可包括在太阳能电池基底(102)的有纹理的表面上热生长的二氧化硅，该基底可以是N型硅基底。高吸光层(313)可以被配置来阻挡进入基底的UV辐射的至少10％。高吸光层(313)可以包括高k氮化硅，低吸光层(314)可以包括低k氮化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 背面 接触 太阳能电池 具有 高吸光层 反射 涂层 | ||
【主权项】：
一种制造背面接触太阳能电池的方法，所述方法包括：使背面接触太阳能电池的正面上的硅基底的表面形成纹理以产生有纹理的正面表面，所述背面接触太阳能电池具有位于与正面相对的背面上的扩散区和与所述扩散区电耦接的金属触点，所述正面在正常操作期间面对太阳以收集太阳辐射；在有纹理的正面表面上形成包括二氧化硅的钝化层；在钝化层上形成高k氮化硅层，所述高k氮化硅层被配置来阻挡从正面进入硅基底的UV辐射的至少10％；和在高k氮化硅层上形成低k氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
