[发明专利]用于半导体发光器件的接触有效
| 申请号： | 200880120918.2 | 申请日： | 2008-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101897048A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | R·I·奥尔达兹;J·E·埃普勒;P·N·格利洛特;M·R·克拉梅斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 谢建云;刘鹏 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | AlGaInP发光器件被形成为薄的倒装芯片器件。该器件包含半导体结构，该半导体结构包含布置在n型区域(22)和p型区域(26)之间的AlGaInP发光层(24)。电连接到n和p型区域的n和p接触(34，32)均形成于半导体结构的同一侧上。半导体结构经由接触连接到载具(40)。生长衬底从半导体结构移除且厚透明衬底被略去，使得器件中半导体层的总厚度在一些实施例中小于15μm，在一些实施例中小于10μm。半导体结构的顶侧可被纹理化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 发光 器件 接触 | ||
【主权项】：
一种方法，包含：在生长衬底之上生长包含布置在n型区域和p型区域之间的AlGaInP发光层的半导体结构；形成电连接到该半导体结构的该n型区域和p型区域的n接触和p接触，其中该接触均布置在该半导体结构的同一侧上以及其中该n接触和p接触的至少一个是反射性的；将该半导体结构连接到载具；以及在将该半导体结构连接到该载具之后，移除该生长衬底。
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